10
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
相关PDF资料
MRF6S27015NR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2
MRF6S27050HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
MRF6S27085HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
MRF6S9045NR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2
MRF6S9060NR1 MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2
MRF6S9125MR1 MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4
MRF6S9125NR1 MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4
MRF6S9130HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S
相关代理商/技术参数
MRF6S24140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S24140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S27015GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.7GHZ 15W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S27015N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 68V 3PIN TO-270 - Bulk
MRF6S27015NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.7GHZ 15W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S27015NR1_07 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S27015NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S27050HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2700MHZ WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray